雷纳斯电子（Renesas Electronics）表示，随着市场竞争的加剧，该公司增加了对硝酸盐（GAN）电源设备的承诺，并转移到200mm晶圆和650V D模式设备。 Navitas半导体还通过使用高功率芯片和Infineon技术来迁移到200mm晶圆，该技术准备生产较大的300mm晶片。 Renesas的倡议是基于与美国极地半导体的最新合作协议，以及2027年日本第二200mm Fab的劳动力开始。该公司宣布，硅碳化物（SIC）和IGBT Silicon Power和Power设备的形成已被悬挂在Gan上。 GAN单位单位总经理Primit Parikh表示：“ Renesas增加了对GAN和MOSFET的投资。”它与GA芯片开发人员Transphorm（Parikh以前是联合创始人）和对话和驾驶员芯片的半导体控制器结合在一起。他说的是条纹双向耗竭装置（D模式）的构成更简单，单位面积的抵抗力较低，从而降低了设备成本。重点放在数据中心中使用的650V设备上，双向能力可以支持±400V，这用于NVIDIA促进的NVIDIA联盟网络的800V交付。但是，尚无计划在以前曾经经过传输的开发的较高电压1200V设备的计划。帕里克说：“当我们监视市场并与客户交谈时，1200V已被暂停。”市场分析师预计，甘恩收入将以每年36％的速度增长，到2030年将达到近25亿美元，尽管可能是IIT低估了，因为该技术正在推动AI数据中心提高效率。 Navitas Natride贸易Navitas Semiconductor现在通过与Fuding Fuding Semiconductor Manufacturing Co，Ltd。（PSMC或Fuding）进行战略合作来宣布，以开始劳动开发200毫米氮气固定岩技术。 Navitas计划使用位于台湾朱尤恩科学园的200mm Fab 8B Fuding工厂，该工厂提供了一个180纳米的工艺来提高性能，功率效率，集成和成本。 Navitas WBGS说：“在180 nm节点的过程中制造200毫米gan-on-silicon，使我们能够继续对增加的电密度，更快，更好的设备现代化，同时增加成本，规模和农产品。”预计将使Navitas产品组合的电源组合从100V到650V，以满足对48V基础设施的氮化碳需求不断增长的需求，包括Hyperscale AI数据中心和电动汽车。预计第一台设备的认证将在2025年第四季度完成。预计100V系列将是2026年上半年首次启动LaborChip的系列，因为该公司预计该650V设备将是Trans从接下来的12到24个月开始。 Navitas首席执行官兼联合创始人Gene Sheridan表示：“我们很荣幸与PowerChip合作，推进了200mm Gan Silicon的生产，并期望在未来几年共同促进持续的变化。” “通过与PowerChip的合作，我们希望在成本上继续开发产品性能，技术和效率开发。”“ PowerChip多年来一直与Navitas合作，与基于GAN的技术合作，我们喜欢表达产品认证的近距离完成，并与大众劳动紧密结合，” Martin Chu说。 300毫米晶圆厂Infineon还期望客户为gan设备的客户提供服务，这是我们综合的300mm gan Manufacturing，使我们能够更快地为客户创造最大价值，同时朝着实现同样的Infineon成本晶圆的目标，我们很高兴看到我们的续订流程，并且KThe行业认识到Infineo的重要性N的GAN技术，这要归功于我们的IDM方法的实力。雷恩·拉斯（Rennes Lass）的帕里克（Parick）说，更大的晶片直径允许每片碎片的2.3倍，但还需要一个单一的晶片外延反应堆，而不是处理更多的200mm蜡。较薄的外延层将首先返回12英寸。